IR国际整流器原装IRFD110PBF
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- 型号:IRFD110PBF
- 类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管
- 沟道类型:N型沟道
- 导电方式:增强型
- 适合频率:低频
- 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
- 工作电压:100(V)
- 工作电流:1(A)
- 最大允许功耗:1.3(W)
- 用途:FET标准功能
- 外形尺寸:标准(mm)
- 加工定制:否
IR国际整流器原装IRFD110PBF
关键词:
IR代理商,原装MOSFET,IRFD110PBF
IRFD110PBF具体参数:
标准包装 100
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 540 毫欧 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.3nC 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF 25V
功率 - 值 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFD110PBF
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