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OKAMOTO全自动晶圆背面减薄机研磨机GNX200BG

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最近更新: 2016/10/26 12:13:59
王女士
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  • 品牌:OKAMOTO
  • 型号:GNX200BG
  • 类型:OKAMOTO全自动晶圆背面减薄机研磨机
  • 加工定制:
  • 用途:晶圆背面减薄机研磨
  • 电源:220V/Hz
  • 功率:1W
  • 外形尺寸:1350Wx2370D*x1845Hmm
  • 重量:3900Kgkg
  • 晶圆尺寸:4”、5”、6”、8”
  • 晶圆厚度:1000μm
  • 粗糙度(Ry):≤0.13μm2000#磨轮
  • 片间厚度差(WTW):≤±2μm
OKAMOTO全自动晶圆背面减薄机研磨机GNX200BG
关键词: IGBT



设备特点:
1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。
3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。
设备指标:
1. 晶圆尺寸: 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度: 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动

4. 设备尺寸及重量 尺寸: 1350 (W) x 2370 (D) x 1845 (H)
重量: 3900 Kg

工艺指标

片内厚度差(TTV): 1.5μm

片间厚度差(WTW) ±2μm
粗糙度(Ry): 0.13 μm(2000磨轮)

注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况

设备特点:
1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。
3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。
设备指标:
1. 晶圆尺寸: 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度: 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动

4. 设备尺寸及重量 尺寸: 1350 (W) x 2370 (D) x 1845 (H)
重量: 3900 Kg

工艺指标

片内厚度差(TTV): 1.5μm

片间厚度差(WTW) ±2μm
粗糙度(Ry): 0.13 μm(2000磨轮)

注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况

设备特点:
1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。
3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。
设备指标:
1. 晶圆尺寸: 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度: 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动

4. 设备尺寸及重量 尺寸: 1350 (W) x 2370 (D) x 1845 (H)
重量: 3900 Kg

工艺指标

片内厚度差(TTV): 1.5μm

片间厚度差(WTW) ±2μm
粗糙度(Ry): 0.13 μm(2000磨轮)

注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况


设备特点:
1.研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2.机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。
3.标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。
设备指标:
1. 晶圆尺寸: 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度: 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动

4. 设备尺寸及重量 尺寸: 1350 (W) x 2370 (D) x 1845 (H)
重量: 3900 Kg

工艺指标

片内厚度差(TTV): 1.5μm

片间厚度差(WTW) ±2μm
粗糙度(Ry): 0.13 μm(2000磨轮)

注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况


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