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苏州场效应管_苏州硅能_常用场效应管

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杨小平

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苏州场效应管_苏州硅能_常用场效应管

关键词：场效应管功放,场效应管原理,常用场效应管

今日半导体元件的材料通常以硅(silicon)为首1选,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中著名的例如IBM使用硅与锗(germanium)的混合物所发展的硅锗制程(silicon-germanium process,SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(gallium arsenide,GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件。注意事项:(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,zui大漏源电压、zui大栅源电压和zui大电流等参数的极限值。 (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。(3)MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时zui好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。中国命名法有两种命名方法。场效应管通常有下列两种命名方法。第1种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名,其中的第3部分用字母CS表示场效应管,第4部分用阿拉伯数字表示器件序号,第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第2种命名方法与双极型三极管相同,第1位用数字代表电极数;第二位用字母代表极性(其中D是N沟道,C是P沟道);第三位用字母代表类型(其中J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管)。例如,3DJ6D是N沟道结型场效应三极管,3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。

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